電力電子技術(shù)及電機(jī)控制實(shí)驗(yàn)裝置技術(shù)參數(shù)
一、技術(shù)性能
1、輸入電源: 三相四線(或三相五線 380V±10％ 50HZ)
2、工作環(huán)境: 溫度-10℃－+40℃ 相對濕度＜85％（25℃） 海撥＜4000m
3、裝置容量：＜1.5KVA
4、外形尺寸：187×72×162 cm
能開設(shè)的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目
（一）電力電子技術(shù)（晶閘管部分）
1．單結(jié)晶體管觸發(fā)電路及單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)
2．正弦波同步移相觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)
3．鋸齒波同步移相觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)
4．單相橋式半控整流電路實(shí)驗(yàn)
5．單相橋式全控整流電路實(shí)驗(yàn)
6．單相橋式有源逆變電路實(shí)驗(yàn)
7．三相半波可控整流電路的研究
8．晶閘管三相半波有源逆變電路的研究
9．三相橋式半控整流電路實(shí)驗(yàn)
10．三相橋式全控整流及有源逆變電路實(shí)驗(yàn)
11．單相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)
12．三相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)
13．單相并聯(lián)逆變電路實(shí)驗(yàn)
（二） 電力電子技術(shù)（全控型器件特性部分）
1．功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的主要參數(shù)測量
2．功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的驅(qū)動(dòng)電路研究
3．絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)特性及其驅(qū)動(dòng)電路的研究
4.單向晶閘管（SCR）特性實(shí)驗(yàn)
5.雙向晶閘管（SCR）特性實(shí)驗(yàn)
（三） 電力電子技術(shù)（全控型器件典型線路部分）
1．直流斬波電路（Buck、Cuk、Boost、Sepic、Buck-Boost、Zeta等六種電路）的性能研究
2．SPWM單相交直交變頻電路的性能研究
3.半橋型穩(wěn)壓電源的性能研究
（四） 直流調(diào)速實(shí)驗(yàn)
1．晶閘管直流調(diào)速系統(tǒng)參數(shù)和環(huán)節(jié)特性的測定
2．晶閘管直流調(diào)速主要單元調(diào)試
3．不可逆單閉環(huán)直流調(diào)速系統(tǒng)靜特性的研究
4．雙閉環(huán)晶閘管不可逆直流調(diào)速系統(tǒng)
5．邏輯無環(huán)流可逆直流調(diào)速系統(tǒng)
（五）交流調(diào)速實(shí)驗(yàn)
1．雙閉環(huán)三相異步電機(jī)調(diào)壓調(diào)速系統(tǒng)
2．雙閉環(huán)三相異步電機(jī)串級調(diào)速系統(tǒng)
基本配置：
實(shí)驗(yàn)凳3條、電源控制屏、實(shí)驗(yàn)桌凳、不銹鋼電機(jī)導(dǎo)軌、1024光電編碼器及智能數(shù)顯轉(zhuǎn)速表、三相可調(diào)電阻（每組900Ω*2/0.41A）、三相晶閘管主電路、三相晶閘管觸發(fā)電路、單相晶閘管觸發(fā)電路、單相晶閘管觸發(fā)電路（二）、電機(jī)調(diào)速控制實(shí)驗(yàn)（Ⅰ）、直流斬波實(shí)驗(yàn)（六種典型線路）、給定及實(shí)驗(yàn)器件、可調(diào)電阻器，電容器、單相調(diào)壓與可調(diào)負(fù)載、變壓器實(shí)驗(yàn)、功率器件驅(qū)動(dòng)電路實(shí)驗(yàn)箱、單相交直交變頻原理、半橋型開關(guān)穩(wěn)壓電源、單相交流調(diào)壓/調(diào)功電路、電機(jī)調(diào)速控制系統(tǒng)（Ⅱ）、直流發(fā)電機(jī)、直流并勵(lì)電動(dòng)機(jī)、三相線繞式異步電動(dòng)機(jī)、線繞式異步電機(jī)轉(zhuǎn)子專用箱、高可靠護(hù)套結(jié)構(gòu)手槍插實(shí)驗(yàn)連接線及配件
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